NAND FLASH 和NOR FLASH异同？
在ARM处理器和嵌入式系统中，NAND Flash和NOR Flash是两种常用的非易失性存储技术，它们各有特点和用途。以下是NAND Flash和NOR Flash之间的主要异同点：
相同点
- 非易失性：两者都是非易失性存储技术，即断电后数据依然保持不变。
- 闪存技术：两者都基于闪存技术，使用浮栅晶体管存储数据。
不同点
- 存储结构与访问方式：
- NOR Flash：提供随机访问接口，类似于RAM。每个存储单元可以单独被擦除和编程。这使得NOR Flash适合用作执行代码的存储介质，如存放固件或引导加载程序。
- NAND Flash：以页为单位进行数据访问、读取、写入和擦除操作。每页包含多个字节，例如512、2048或更多字节。这种结构使得NAND Flash在读写大量数据时更高效，因此更适合用作数据存储。
- 速度：
- NOR Flash：读取速度较快，适合执行代码。但写入和擦除速度较慢。
- NAND Flash：提供更高的写入和擦除速度，但随机读取速度不及NOR Flash。
- 密度和成本：
- NOR Flash：存储密度相对较低，成本较高，通常用于存储小容量的程序代码。
- NAND Flash：具有更高的存储密度和较低的成本，适用于大容量数据存储，如SSD、USB闪存驱动器和SD卡等。
- 耐久性：
- NOR Flash：写入/擦除次数通常较多，耐久性较好。
- NAND Flash：每个块的写入/擦除寿命较短，但通过穿戴均衡算法可以延长使用寿命。
- 典型应用：
- NOR Flash：由于其优秀的随机读取性能和可靠性，通常用于存储引导代码和小型程序。
- NAND Flash：因其高容量和成本效益，主要用于移动设备的大容量存储和固态硬盘。
总结来说，选择NAND Flash或NOR Flash主要基于具体的应用需求，如对速度、成本、存储密度和耐久性的不同要求。在嵌入式系统和ARM架构的应用中，这两种技术常常根据其特点被选择用于不同的功能和模块。